В Твери закрыли крупнейшее в России предприятие по выпуску пиратских дисков (ВИДЕО)

Главное управление экономической безопасности и противодействия коррупции (ГУЭБиПК) объявило о пресечении деятельности огромного предприятия в Твери, занимавшегося производством и сбытом контрафактных дисков с видео, аудио контентом и программным обеспечением, сообщает CNews.ru.

Примечательно, что в начале февраля органы уже сообщали о пресечении деятельности контрафактного завода в Твери с аналогичными характеристиками. Тогда же сообщалось, что диски с него поставлялись не только в российские регионы, но также в Украину и Белоруссию. По данным издания, речь действительно идет об одном и том же заводе: пока шла экспертиза по делу, предприятие возобновило работу, но недавно его прикрыли снова.

Было возбуждено уголовное дело, однако в отношении подозреваемых организаторов нелегального бизнеса до сих пор никаких процессуальных решений вынесено не было и они находятся на свободе, говорит источник в ГУЭБиПК.

Завод насчитывал одиннадцать производственных линий по изготовлению DVD-дисков, три линии по производству CD-дисков и семь принтеров для нанесения изображений на поддельные диски, говорится в сообщении правоохранительных органов. Общая стоимость его оборудования оценивается более чем в 3 млн евро.

В качестве примера крупных производств контрафактных дисков, закрытых ранее, источник в ГУЭБиПК привел завод на девять производственных линий в Казани и на семь линий в Санкт-Петербурге.

По данным ГУЭБиПК, мощность оборудования тверского завода позволяла производить более 3 млн дисков в месяц, а обнаруженные документы свидетельствуют о том, что диски поставлялись более чем в 30 регионов России. В двух складских помещениях оперативники обнаружили и изъяли свыше 5 млн дисков, готовых к реализации.

В Великобритании случайно создали чипы памяти нового типа, работающие в обычных условиях

Ученым из Университетского колледж Лондона (UCL) удалось впервые создать чипы "резистивной памяти с произвольным доступом" (Resistive RAM, ReRAM, RRAM) на базе оксида кремния, работающие при обычных условиях, а не в вакууме, как другие разрабатываемые в разных странах образцы, в которых тоже используется оксид кремния.

Примечательно, что память была создана не специально: лондонские исследователи изучали возможность использования оксида кремния в светодиодах и обратили внимание на нестабильность параметров пленки оксида и ее способность принимать два состояния, сообщает iXBT.com.

Это достижение открывает путь к новой сверхвысокоскоростной памяти для компьютеров, карманных медиаплееров, видеокамер и различных мобильных устройств, уверены исследователи, но когда именно разработка придет в серийные электронные устройства, британские ученые не говорят.

ReRAM совмещает достоинства DRAM и флеш-памяти NAND. Принцип работы заключается в изменении сопротивления материала под действием напряжения. Память является энергонезависимой, то есть сохраняет свое состояние в отсутствие питания. К преимуществам ReRAM над широко используемой сейчас флеш-памятью относятся, помимо высокого быстродействия, более высокая плотность, большая долговечность и меньшее энергопотребление.

Микросхемы ReRAM способны обеспечивать приблизительно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми, а по сравнению с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и заметно большим количеством циклов перезаписи.

Работы по созданию ReRAM ведутся уже давно. Теоретические основы нового элемента электросхемотехники, который мог стать основой для всех электрических схем и использоваться наряду с сопротивлением, конденсатором и индуктивностью, были сформулированы еще в начале 1970-х годов, но на практике реализовать эту идею не удавалось вплоть до 2008 года, когда исследователи из Hewlett-Packard впервые сообщили о создании работающего мемристора на основе диоксида титана.

Некоторые эксперты уверены, что уже к 2015 году эта технология сделает устаревшей память типов DRAM и SRAM, которая используется в современных компьютерах в качестве оперативной памяти.

Отличие разработки UCL от всех предыдущих заключается в новой структуре ячейки памяти, состоящей из оксида кремния. Она характеризуется более высокой эффективностью переключения ячейки из одного состояния в другое.

Под действием переключающего напряжения в оксиде формируются или разрушаются кремниевые "нити", соответственно уменьшающие или увеличивающие сопротивление ячейки. Важно, что чип работает при обычных условиях, а не в вакууме.

Другой примечательной особенностью новой памяти является возможность формирования ее в виде тонких прозрачных пленок, например, интегрируемых в сенсорные экраны мобильных устройств.