Стекло iPhone 4 разбивается гораздо чаще, чем у iPhone 3GS

Сотрудники американской компании SquareTrade, специализирующейся на гарантийном ремонте и сервисном обслуживании электронных устройств, подсчитали, что "повреждения по вине пользователей" случаются с iPhone 4 на 68% чаще, чем с iPhone 3GS

4,7% владельцев iPhone 4 сообщили о подобных случаях уже в течение первых четырех месяцев, в то время как для iPhone 3GS этот показатель составлял 2,8%. Чаще всего, как и следовало ожидать, страдает стекло: подобная неприятность случилась с 82% iPhone 4, доставленных в SquareTrade для ремонта. Для 3GS это число равняется 76%, сообщает iXBT.com.

Данные ремонтников, отмечает издание, интересны в свете недавнего сообщения о возможной проблеме в конструкции iPhone 4, приводящей к разрушению тыльной стеклянной панели при использовании закрытых футляров.

Учитывая общую частоту физических повреждений, компания отмечает, что в первые четыре месяца пользователи iPhone разбивают стекло iPhone 4 почти вдвое чаще, чем пользователи iPhone 3GS — 3,9% против 2,1%.

Это говорит о том, что нынешняя модель iPhone гораздо более уязвима к физическим повреждениям, чем ее предшественница. Компания отмечает, что несмотря на отсутствие статистики, сколько повреждений тыльного стекла случилось из-за частиц, попавших под футляры, ее данные позволяют утверждать, что не менее 25% инцидентов с разбитым стеклом приходится именно на тыльную панель.

Впрочем, несмотря на столь высокую склонность iPhone к повреждениям по вине пользователей, информация SquareTrade свидетельствует, что выход iPhone 4 и 3GS из строя не по вине пользователя случается в 0,5% случаев, что является отличным показателем.

Японские компании Sharp и Elpida Memory приступили к разработке чипов памяти нового поколения — со скоростью записи в тысячи раз быстрее

Японские компании Sharp и Elpida Memory объединили усилия для создания чипов резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM, от англ. "resistive random access memory"), которые смогут обеспечить в тысячи раз более высокую скорость записи, чем распространенная сегодня флэш-память стандарта NAND.

Первые сведения о памяти нового поколения, под которой подразумевают энергонезависимую резистивную память с произвольным доступом, получившую обозначение ReRAM, появились несколько лет назад. Такие чипы должны потреблять меньше энергии, сохраняя записанные данные после отключения питания.

Разработка, как сообщает РИА "Новости" со ссылкой на сайт Tech-On и агентство Reuters, ведется в партнерстве с Токийским университетом и японским Национальным институтом передовых индустриальных наук и технологий (AIST). Ожидается, что коммерческие образцы новых чипов появятся в 2013 году.

По сравнению с флэш-памятью стандарта NAND, широко используемой в современных мобильных устройствах, новые чипы позволят записывать данные до десяти тысяч раз быстрее, отмечает Reuters. В режиме ожидания разрабатываемые ReRAM-чипы практически не будут потреблять энергию.

Производители уже давно работают над созданием памяти, которая могла бы заменить динамическую память с произвольным доступом (DRAM) и энергонезависимую память (в этом качестве сейчас преимущественно выступает флэш-память типа NAND). Память типа ReRAM отлично подходит на такую роль, превосходя оба указанные типа памяти, утверждает Elpida.

Elpida Memory входит в тройку крупнейших производителей чипов оперативной памяти DRAM. Предположительно компания сама займется массовым производством новых ReRAM-чипов в 2013 году.